Микроэлектроника

Возможности лазерной обработки материалов имеют ключевое значение для задач микроэлектроники. В этой отрасли работа всегда идет в микронном и субмикронном диапазоне и характерны наиболее высокие требования одновременно и к качеству обработки, и к размерам обрабатываемых изделий, и к производительности процесса.

Лазерные технологии находят применение в производстве таких изделий, как функциональные блоки (процессоры и микроконтроллеры), аналоговая и дискретная ЭКБ, производство кристаллов, интегральных схем, СВЧ электроника, МЕМС и различные датчики, оптоэлектроника.

Особенностями требований отрасли микроэлектроники являются:

• Локальность обработки. Воздействие на конкретный участок материала, при отсутствии нагрева остального объема материала и недопустимость нарушения его структуры и свойств.

• Высокое качество обработки. Недопустимость механического воздействия на материал и требования по минимальной дефектной зоне.

• Высокая производительность и экономическая эффективность. Это отражается в легкости автоматизации процесса, отсутствии износа инструмента, групповой обработке изделий и сокращении общего числа технологических этапов.

Резка полупроводниковых пластин и подложек. Различные методы позволяют разделять полупроводниковые пластины на микрочипы и изготавливать прецизионные элементы с микронной точностью и минимальной потерей материала, значительно уменьшить или полностью исключить дефектную зону, а также снизить зону теплового нагрева, что немаловажно при производстве электронных устройств и МЭМС.

Сверление проходных и глухих отверстий - для 3D-интеграции, дисплеев и фотоэлементов.

Скрайбирование или абляция – очень широко распространенный и эффективный метод разделения пластин, когда на изделие наносится ряд глухих отверстий, по которым изделие необходимо сломать. Технология является более простой, чем дайсинг, однако дает несколько большую дефектную зону и требует дополнительной операции разламывания.

Структурирование слоя металлизации на подложке – процесс создания массива структурных элементов, заданных формы и размеров, размещённых в заданном порядке для решения разнообразных прикладных задач.

Объемный метод – предусматривает последовательное снятие с заготовки слоёв для изготовления 3D структуры образца при помощи модуля, интегрированного с кинематической 3-координатной или 5-координатной системой, при этом возможно изготовление сложных форм малых размеров из труднообрабатываемых материалов.

Модификация материала – изменение физико-химических свойств материала с целью дальнейшей обработки разными методами, например, лазерно-индуцированное травление.

Кроме того, наши лазерные комплексы могут использоваться для изготовления масок и трафаретов, прямое формирования топологии, пассивной подгонки резисторов, обработки керамики и гибких носителей для ГИС (гибридная интегральная схема).

Преимущества работы наших станков в отрасли.

Наши станки для микроэлектроники были спроектированы с учетом требований и специфики задач и обеспечивают качественное их решение. Они учитывают следующие факторы в части системы:

Обрабатываемый образец: его материал, толщину, размер структур и многослойность.
Лазерный источник: длина волны лазерного излучения, энергия в импульсе, частота следования импульсов, длительность и форма импульсов, поляризация и пространственные характеристики выходного пучка, которые влияют на результаты обработки. С учетом этих факторов, в зависимости от технологии и характеристик обрабатываемых изделий используются различные типы лазеров.
Оптическая система: точность фокусировки, глубина фокуса, контроль пространственных характеристик пучка и контроль поляризации.
Кинематическая система: размеры области обработки, динамика движения, точность позиционирования и повторяемость позиционирования.
Автоматизация: автопозиционирование, распознание маркеров, автофокусировка, поддержание положения фокуса над профилем заготовки и тд